74AUP1G125提供带3态输出的单路非反相缓冲器/线路驱动器。3态输出通过输出使能输入(OE)控制。针脚OE处的高电平使输出呈高阻抗关断状态。该器件具有输入禁用功能，它允许浮动输入信号。输出使能输入(OE)为高电平时，输入处于禁用状态。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。该器件可确保整个0.8 V至3.6 V的CC范围内极低的静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114-F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101-E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• 输入禁用特性允许浮空输入条件
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PSMN6R5-80PS - N沟道80V 6.9m?标准电平MOSFET，采用TO220封装
• BZX884-C2V4 - 稳压器二极管
• 74AUP2G00GD - 低功耗双路2输入与非门
• PSMN6R5-80BS - N沟道80V 6.9m?标准电平MOSFET，采用D2PAK封装
• MMBT2222A - NPN开关晶体管
• PTVS5V0P1UP - 600 W瞬态电压抑制器
• BLF2425M6L180P - 功率LDMOS晶体管
• PZU6.8B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PBSS4140DPN - 40 V低VCEsat NPN/PNP晶体管
• 74HC138DB - 3至8线路解码器、解复用器；反相