74AUP1G125提供带3态输出的单路非反相缓冲器/线路驱动器。3态输出通过输出使能输入(OE)控制。针脚OE处的高电平使输出呈高阻抗关断状态。该器件具有输入禁用功能，它允许浮动输入信号。输出使能输入(OE)为高电平时，输入处于禁用状态。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。该器件可确保整个0.8 V至3.6 V的CC范围内极低的静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114-F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101-E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• 输入禁用特性允许浮空输入条件
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74AHC594DB - 8位移位寄存器，带输出寄存器
• 74LV165DB - 8位串行输入/并行输出移位寄存器
• BZB984-C3V6 - 双倍稳压器二极管
• PDTD113ZT - NPN 500 mA、50 V配电阻晶体管；R1 = 1 kOhm，R2 = 10 kOhm
• HEF4015BT - 双路4位静态移位寄存器
• CLF1G0060S-10 - 宽带RF功率GaN HEMT
• PBSS306PZ - 100 V，4.1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• 74LVC1G07GM - 缓冲器，带开漏输出
• 74HC259BQ - 8位可寻址锁存器
• BZB984-C6V8 - 双倍稳压器二极管