74AUP1G125提供带3态输出的单路非反相缓冲器/线路驱动器。3态输出通过输出使能输入(OE)控制。针脚OE处的高电平使输出呈高阻抗关断状态。该器件具有输入禁用功能，它允许浮动输入信号。输出使能输入(OE)为高电平时，输入处于禁用状态。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。该器件可确保整个0.8 V至3.6 V的CC范围内极低的静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114-F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101-E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• 输入禁用特性允许浮空输入条件
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BUK9107-40ATC - N沟道TrenchPLUS逻辑电平FET
• A7101CGT1 - 安全验证微控制器
• 74LVC3G04 - 三路反相器
• BLF2425M6L180P - 功率LDMOS晶体管
• 74AUP2G79GM - 低功耗双频D型触发器；正沿触发器
• PSMN4R2-60PL - N沟道60 V，3.9 m?逻辑电平MOSFET，采用SOT78封装
• PSMN7R8-120PS - N沟道120 V 7.9 mΩ标准电平MOSFET，采用TO220封装
• MF1SPLUS8031DA4 - 适用于快速简单的解决方案开发的主流非接触式智能卡IC
• 74HC125DB - 四路缓冲器/线路驱动器；3态
• 74AUP2G241GF - 低功耗双路缓冲器/线路驱动器；3态