
BLF8G22LS-160BV技术文档下载:
BLF8G22LS-160BV产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- BUK655R0-75C,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 74LV123D,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 多谐振荡器
- MC912DT128ACPV - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- NCK2982AHN/T0BY - 射频和无线 > 射频收发器 IC
- MCF51JE128VMB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- 74AHC123ABQ,115 - 未分类 > 未分类
- BUK7E11-55B,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET



BLF8G22LS-160BV - 功率LDMOS晶体管
BLF8G22LS-160BV是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF8G22LS-160BV是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLF8G22LS-160BV的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF8G22LS-160BV相关的NXP元器件型号供参考。
BLF8G22LS-160BV - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
160 W LDMOS功率晶体管,具有改进的视频带宽,适合2000 MHz至2200 MHz频率范围的基站应用。
产品特性和优势
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低Rth,提供极佳的热稳定性
- 去耦引线,可改进视频带宽(典型值:100 MHz)
- 更低的输出电容,可增强Doherty应用中的性能
- 针对低内存占用量设计,提供出色的预失真性能
- 内部匹配,便于使用
- 集成式ESD保护
- 集成式电流感测
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- 适用于W-CDMA基站的RF功率放大器
- 2000 MHz至2200 MHz频率范围内的多载波应用
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