74AUP1G00提供单路2输入与非功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PDTC123YU - NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 10 kOhm
• 74AXP1G125 - 低功耗缓冲器/线路驱动器（三态）
• NZX36C - 单倍齐纳二极管
• BZB84-B22 - 双倍齐纳二极管
• PML340SN - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PCA9517A - 电平变换I2C总线转发器
• PSMN9R1-30YL - N沟道9.1 m? 30 V TrenchMOS逻辑电平FET，采用LFPAK封装
• PUMB9 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 47 kΩ
• 74AXP1G11GN - Low-power 3-input AND gate
• KMZ41 - 磁阻传感器