74ALVT162823 18位总线接口寄存器设计用于取消缓冲现有寄存器所需的额外封装，并提供额外数据宽度，用于总线进行奇偶校验的更宽数据/地址路径。

74ALVT162823具有带时钟使能（nCE） 和主复位（nMR） 的两个9位宽缓冲寄存器，它们非常适合用于高微编程系统中的奇偶校验总线连接。

这些寄存器为完全边沿触发。在时钟从低到高转换前的某个建立时间，每个D输入状态都会被传输到相应的触发器Q输出。

74ALVT162823设计在上拉和下拉输出结构中使用30 Ω串联电阻。该设计可降低存储器地址驱动器、时钟驱动器以及总线接收器/发送器等应用中的线路噪声。

• 两组带正沿触发D类触发器的高速并行寄存器
• 可兼容5 V I/O
• 非常适用于要求高速、轻负载或增大扇入的MOS微控制器
• 总线保持数据输入无需用外部上拉电阻来保持闲置输入
• 允许带电插拔
• 上电三态
• 上电复位
• 输出能力：+12 mA到-12 mA
• 输出包括30 Ω的串联电阻，从而无需外部端接电阻
• 锁存保护：
  • JESD78：超过500 mA
• ESD保护：
  • MIL STD 883, method 3015：超过2000 V
  • 机器模型：超过200 V

• BZT52H-C8V2 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• PMZ370UNE - 30 V，N沟道Trench MOSFET
• TJA1022 - 双LIN 2.2/SAE J2602收发器
• 74AHCT541PW - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• 74LVC3G04GD - 三路反相器
• 74HC4024D - 7级二进制纹波计数器
• BZA800AVL series - 四倍低电容ESD抑制器
• 74HCT1G32GW - 2输入或门
• BLF2425M9LS30 - Power LDMOS transistor
• 74LVC1G27GF - 单路3输入或非门