74ALVT162821高性能BiCMOS器件结合了低静态和动态功耗以及高速和高输出驱动能力。它设计用于I/O 兼容性高达5 V、在2.5 V或3.3 V电压下进行VCC操作。

74ALVT162821具有两个10位边沿触发寄存器，每个寄存器都耦合到一个三态输出缓冲器。每个寄存器的两个部分由时钟（nCP）和输出使能（nOE）控制逻辑门独立控制。

每个寄存器为完全边沿触发。在时钟从低到高转换前的某个建立时间，每个D输入的状态会被传输到相应的触发器Q输出。

三态输出缓冲器设计用于驱动重负载三态总线、MOS存储器或MOS微处理器。有源低电平输出使能（nOE）可控制所有十个不受寄存器操作影响的三态缓冲器。nOE为低电平时，寄存器内的数据会出现在输出处。nOE为高电平时，输出处于高阻抗“关断”状态，这表示这些输出既不能驱动也不能加载总线。

74ALVT162821设计在高电平或低电平输出级内使用30 Ω串联电阻。该设计可降低存储器地址驱动器、时钟驱动器以及总线接收器/发送器等应用中的线路噪声。该系列端接电阻可降低过冲和欠冲，非常适用于驱动存储器阵列。

• 输出包括30 Ω的串联电阻，从而无需外部端接电阻
• 20位正沿触发寄存器
• 可兼容5 V I/O
• 多个Vcc引脚和GND引脚可最大程度降低开关噪声
• 允许带电插拔
• 上电复位
• 上电三态
• 输出能力：+12mA/-12mA
• 根据Jedec Std 17 ，锁存保护超过500mA
• 根据MIL STD 883 Method 3015，ESD保护超过2000 V；根据机器模型，ESD保护超过200V
• 总线保持数据输入无需用外部上拉电阻来保持闲置输入

• TEA1721DT - 适用于5 W应用、集成功率MOSFET通过高压启动的反激控制器，f~burst = 1270 Hz
• BLP8G05S-200 - Power LDMOS transistor
• BUK9Y4R8-60E - N-channel 60 V, 4.8 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56
• 74AHCT14BQ - 十六进制反相施密特触发器
• 74LVC1GU04GS - 非缓冲反相器
• 74AXP1G00GN - 低功耗2输入与非门
• BCX51-16 - 45 V，1 A PNP中等功率晶体管
• 74AHC(T)164 - 8位串行输入/并行输出移位寄存器
• BC51PAS; BC52PAS; BC53PAS - 45 V/60 V/80 V, 1 A PNP medium power transistors
• 74HC4024PW - 7级二进制纹波计数器