74HC423；74HCT423是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL (LSTTL)针脚兼容。其规格符合JEDEC标准no. 7A。

带复位的74HC423；74HCT423双可再触发单稳态多谐振荡器具有两种输出脉冲宽度控制方法。

最小脉冲宽度基本上通过选择外部电阻(REXT)和电容(CEXT)确定。 一旦触发，基本输出脉冲宽度可通过再触发门控低电平有效边沿输入(nA)或高电平有效边沿输入(nB)进行扩展。重复这一过程，就可按需形成输出脉冲周期（nQ为高电平，nQ 为低电平）。nRD为低电平时，其将nQ输出强制为低电平，将nQ输出强制为高电平，并且还抑制触发。图10和图11说明了通过复位实现的脉冲控制。

nA和nB输入的施密特触发器动作使其高度容许较慢的输入上升和下降时间。

74HC423；74HCT423等同于74HC123；74HCT123，但无法通过复位输入触发。

• 从高电平有效或低电平有效输入触发的直流
• 针对占空系数高达100 %的极长脉冲可再触发
• 直接复位可终止输出脉冲
• 除复位输入外的所有输入上的施密特触发器动作
• 符合JEDEC标准no. 7A
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74AUP1G374GN - 低功耗D型触发器；正沿触发器（三态）
• MF1PLUS8001DA4 - 适用于快速简单的解决方案开发的主流非接触式智能卡IC
• PESD5V0V2BMB - Very low capacitance bidirectional ESD protection diodes
• 74LVC(H)244A - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• BFT46 - N沟道FET
• PEMB9; PUMB9 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 47 kΩ
• PDTA115TM - PNP配电阻晶体管；R1 = 100 kOhm，R2 = 开路
• PEMH10; PUMH10 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kΩ，R2 = 47 kΩ
• 74HC(T)139 - 双路2至4线路解码器/解复用器
• PMEG2010AEB - 20 V、1 A超低VF MEGA肖特基势垒整流二极管，采用SOD523封装