74AHC594；74AHCT594是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL (LSTTL针脚兼容。该类器件的规格符合JEDEC标准No. 7-A。

74AHC594；74AHCT594是8位非反相串行输入并行输出移位寄存器，可将数据馈入8位D型存储寄存器。移位和存储寄存器上都提供单独时钟（SHCP和STCP）和直接覆盖清零（SHR和STR）。提供串行输出(Q7S)是为了级联。

移位和存储寄存器时钟都为正沿触发。如果用户希望将两个时钟连在一起，则移位寄存器将总是比存储寄存器超前一个计数脉冲。

• 平衡传播延迟
• 所有输入都具有施密特触发动作
• 输入接受高于VCC的电压
• 2.0 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 8位串联输入、并联输出移位寄存器，带存储功能
• 移位和存储寄存器上独立的直接覆盖清零
• 用于移位和存储寄存器的独立时钟
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78 II类标准
• 输入电平：
  • 对于74AHC594：CMOS电平
  • 对于74AHCT594：TTL电平
• ESD保护：
  • HBM EIA/JESD22-A114E超过2000 V
  • MM EIA/JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM EIA/JESD22-C101C超过1000 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 串行到并行数据转换
• 遥控保持寄存器

• 74LVC08APW - 四路2输入与门
• 74LVC827A - 10位缓冲器/线路驱动器，带5 V容压输入/输出；3态
• 74LVC1G74 - 带设置和复位功能的单频D型触发器；正沿触发器
• BUK664R8-75C - N沟道TrenchMOS FET
• PBSS4120T - 20 V、1 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• PHB45NQ10T - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• PZU15DB2 - 双倍齐纳二极管
• 74HCT157DB - 四路2输入多路复用器
• BC847CQA - 45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
• BC54PA - 45 V，1 A NPN中等功率晶体管