74AUP1G34提供低功耗、低电压单路缓冲器。

所有输入的施密特触发器动作使电路在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD 78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PBSS4032SPN - 30 V，5.7 A NPN/PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• 74AUP1G373GW - 低压D型透明锁存器；3态
• 74HC(T)4094 - 8级移位和存储总线寄存器
• PBHV8115X - 150 V，1 A NPN高压低VCEsat (BISS)晶体管
• SCC2698B - 增强型八通道通用异步接收器/发送器（八通道UART）
• 2PB1219AS - PNP通用晶体管
• PESDxU1UT series - 采用SOT23封装的超低电容ESD保护二极管
• BCX54 - 45 V，1 A NPN中等功率晶体管
• BLM7G1822S-80AB(G) - LDMOS 2级功率MMIC
• TDA10025HN - 双电缆解调器