74AHC123A；74AHCT123A是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL (LSTTL)针脚兼容。其规格符合JEDEC标准no. 7A。

74AHC123A；74AHCT123A是输出脉冲宽度由三种方法控制的双可再触发单稳态多谐振荡器。基本脉冲时间通过选择外部电阻(REXT)和电容(CEXT)进行编程。

一旦触发，基本输出脉冲宽度可通过再触发门控低电平有效边沿输入(nA)或高电平有效边沿输入(nB)进行扩展。重复这一过程，就可按需形成输出脉冲周期（nQ为高电平，nQ 为低电平）。或者，输出延迟可通过输入nRD上的低电平沿随时终止，其还可抑制触发。

从nRD到输入门的内部连接使其可以通过输入nRD上的正向信号触发电路。基本输出脉冲宽度实质上由外部定时元件REXT和CEXT的值确定。CEXT ≥ 10 nF时，典型输出脉冲宽度定义为：tW= REXT× CEXT，其中tW= 脉冲宽度（单位：ns）；REXT= 外部电阻（单位：kΩ）；CEXT= 外部电容（单位：pF）。所有输入处的施密特触发器动作使电路高度容许较慢的输入上升和下降时间。

• 所有输入都具有施密特触发器动作
• 输入接受高于VCC的电压
• 从高电平有效或低电平有效输入触发的直流
• 针对占空系数高达100 %的极长脉冲可再触发
• 直接复位可终止输出脉冲
• 仅对于74AHC123A：采用CMOS输入电平工作
• 仅对于74AHCT123A：采用TTL输入电平工作
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101C超过1000 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• BST51 - NPN达林顿晶体管
• BZX585-C18 - 稳压器二极管
• PMXB350UPE - 20 V，P沟道Trench MOSFET
• 74LVT(H)16374A - 3.3 V 16位边沿触发D型触发器（三态）
• CLF1G0035S-100P - 宽带RF功率GaN HEMT
• IP4284CZ10-TBR - 用于超高速接口的ESD保护
• BFT25A - NPN 5 GHz宽频带晶体管
• 74HC3G14GD - 三路反相施密特触发器
• 74AUP1G16GF - Low-power buffer
• 74AXP1G02 - 低功耗2输入或非门