74AHC573；74AHCT573是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL (LSTTL)针脚兼容。该类器件的规格符合JEDEC标准No. 7A。

74AHC573；74AHCT573 由八个D型穿透锁存器组成，具有适用于每个锁存器的单独D型输入和适合总线应用的3态真正输出。锁存使能输入(LE)和输出使能输入(OE)为所有锁存器共用。

针脚LE为高电平时，Dn输入处的数据会输入锁存器。在这种情况下，锁存器是穿透的，即每当与锁存输出对应的Dn输入发生变化时，锁存输出就会随之发生改变。针脚LE为低电平时，锁存器存储LE从高电平跃迁至低电平前的一个设置时间在Dn输入处出现的信息。

针脚OE为低电平时，8个锁存器的内容可在输出处获取。针脚OE为高电平时，输出转为高阻抗关断状态。OE输入的操作不会影响锁存器的状态。

74AHC573；74AHCT573在功能上等同于74AHC373；74AHCT373，但针脚排列不同。

• 平衡传播延迟
• 所有输入都具有施密特触发器动作
• 公共3态输出使能输入
• 在功能上等同于74AHC373；74AHCT373
• 输入接受高于VCC的电压
• 输入电平：
  • 对于74AHC573：CMOS输入电平
  • 对于74AHCT573：TTL输入电平
• ESD保护：
  • HBM EIA/JESD22-A114E超过2000 V
  • MM EIA/JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM EIA/JESD22-C101C超过1000 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PHKD6N02LT - 双N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• BFU520X - NPN宽带硅RF晶体管
• 74HCT2G02DP - 双路2输入或非门
• BGA7130 - 400 MHz至2700 MHz 1 W高线性度硅放大器
• BZT52H-C7V5 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• PESD5V0U5BV - 超低电容双向五倍ESD保护阵列
• 74HCT594DB - 8位移位寄存器，带输出寄存器
• BUK9E06-55B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PBSS4021PZ - 20 V，6.6 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• 74HC373DB - 八进制D型透明锁存器；3态