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BSH111,215

  • 制造厂商:NXP(中文名:恩智浦)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-236AB
  • 技术参数:MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23
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BSH111,215参数详情:

  • 型号:BSH111,215
  • 品牌:NXP USA Inc. (NXP,恩智浦)
  • 封装:TO-236AB
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):55 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):335mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4 欧姆 @ 500mA,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):1 nC @ 8 V
  • Vgs(最大值):±10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):40 pF @ 10 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):830mW(Tc)
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-236AB
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • BSH111,215的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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