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    BLS6G3135S-120,112
  • 制造厂商：NXP（恩智浦）
  • 类别封装：RF场效应管，SOT502B
  • 技术参数：TRANS S-BAND RADAR LDMSO SOT502B
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    • 参数详情：
  • NXP恩智浦完整型号：BLS6G3135S-120,112
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 描述：TRANS S-BAND RADAR LDMSO SOT502B
  • 系列：-
  • 晶体管类型：LDMOS
  • 频率：3.1GHz ~ 3.5GHz
  • 增益：11dB
  • 电压 - 测试：32V
  • 额定电流：7.2A
  • 噪声系数：-
  • 电流 - 测试：100mA
  • 功率 - 输出：120W
  • 电压 - 额定：60V
  • 封装/外壳：SOT-502B
  • 供应商器件封装：SOT502B
  • BLS6G3135S-120,112的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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