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BLS6G2731-6G,112供应商

产品参考图片

BLS6G2731-6G,112

制造厂商：NXP（恩智浦）

类别封装：RF场效应管，SOT975C

技术参数：TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT975C

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参数详情：

NXP恩智浦完整型号：BLS6G2731-6G,112

制造商：NXP（恩智浦半导体）

描述：TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT975C

系列：-

晶体管类型：LDMOS

频率：2.7GHz ~ 3.1GHz

增益：15dB

电压 - 测试：32V

额定电流：3.5A

噪声系数：-

电流 - 测试：25mA

功率 - 输出：6W

电压 - 额定：60V

封装/外壳：SOT-975C

供应商器件封装：SOT975C

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