
PTVS26VS1UTR技术文档下载:
PTVS26VS1UTR产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MC68331VEH16 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MRFG35010ANT1 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
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- 2N7002CK,215 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- BFU520XRR - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
- LS1043AXN8KQB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MC908AP16CFAE-NXP - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- ASC8849AETE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 应用特定微控制器
- N74F245D,602 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
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- 74HC20DB,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
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- N74F283D,602 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 专用逻辑器件



PTVS26VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
PTVS26VS1UTR是NXP恩智浦公司的一款400W TVS二极管产品,PTVS26VS1UTR是高温400 W瞬态电压抑制器,本站介绍了PTVS26VS1UTR的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PTVS26VS1UTR相关的NXP元器件型号供参考。
PTVS26VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器 - 400W TVS二极管 - 瞬变电压抑制器(TVS)二极管 - 恩智浦
产品描述
400 W单向瞬态电压抑制器(TVS)采用SOD123W小型扁平引脚薄型表面贴装设备(SMD)塑料封装,可为高温应用提供瞬态过压保护。
产品特性和优势
- 额定峰值脉冲功率:PPPM = 400 W(3V3为350 W)
- 反向关态电压范围:VRWM = 3.3 V至64 V
- 反向电流:IRM = 0.001 μA
- 极低封装高度:1 mm
- 高温稳定性:Tj ≤185 °C
- 小型塑料封装,适合表贴设计
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- 电源保护
- 汽车电子应用
- 工业应用
- 电源管理
- 高温应用
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