
PSMN9R1-30YL技术文档下载:
PSMN9R1-30YL产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- SC16C754IA68,529 - 集成电路(IC) > 接口 > UART(通用异步接收器发送器)
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- MC56F83769AMLLA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- BGU6009/N2X - 射频和无线 > 射频放大器
- S9S08DZ48F2CLFR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- TEA1507P/N1,112 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > AC DC 转换器,离线开关
- LPC1113FHN33/201,5 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



PSMN9R1-30YL - N沟道9.1 m? 30 V TrenchMOS逻辑电平FET,采用LFPAK封装
PSMN9R1-30YL是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PSMN9R1-30YL是N沟道9.1 m? 30 V TrenchMOS逻辑电平FET,采用LFPAK封装,本站介绍了PSMN9R1-30YL的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PSMN9R1-30YL相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN9R1-30YL - N沟道9.1 m? 30 V TrenchMOS逻辑电平FET,采用LFPAK封装 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用塑料封装,使用TrenchMOS技术。该产品仅设计适合用于工业和通信应用。
产品特性和优势
- 低开关和导通损耗,因而效率高
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
产品应用
- D级放大器
- DC-DC转换器
- 马达控制
- 服务器电源
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