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PSMN9R1-30YL - N沟道9.1 m? 30 V TrenchMOS逻辑电平FET，采用LFPAK封装
PSMN9R1-30YL是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品，PSMN9R1-30YL是N沟道9.1 m? 30 V TrenchMOS逻辑电平FET，采用LFPAK封装，本站介绍了PSMN9R1-30YL的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与PSMN9R1-30YL相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN9R1-30YL - N沟道9.1 m? 30 V TrenchMOS逻辑电平FET，采用LFPAK封装 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)，采用塑料封装，使用TrenchMOS技术。该产品仅设计适合用于工业和通信应用。
产品特性和优势
- 低开关和导通损耗，因而效率高
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
产品应用
- D级放大器
- DC-DC转换器
- 马达控制
- 服务器电源
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