
PSMN6R0-30YL技术文档下载:
PSMN6R0-30YL产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MPC8536EBVTAVLA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
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- MC9S08AW32CFUER - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- CBT3244ADB,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 信号开关,多路复用器,解码器
- 74HCT259PW,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 锁存器
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- LPC1102LVUKZ - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC9S08JS8CFK - 嵌入式 - 微控制器
- S9S08RNA60W1MLF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC908GR32AMFJE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- SPC5646CF0VMJ1 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- S32G254ASBK0VUCT - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MMPF0100F0ANESR2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 特殊用途稳压器



PSMN6R0-30YL - N沟道30 V 6 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装
PSMN6R0-30YL是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PSMN6R0-30YL是N沟道30 V 6 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,本站介绍了PSMN6R0-30YL的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PSMN6R0-30YL相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN6R0-30YL - N沟道30 V 6 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用塑料封装,使用TrenchMOS技术。该产品仅设计适合用于工业和通信应用。
产品特性和优势
- 低开关和导通损耗,因而效率高
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
产品应用
- D级放大器
- DC-DC转换器
- 马达控制
- 服务器电源
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