
PSMN6R0-25YLB技术文档下载:
PSMN6R0-25YLB产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- PZM22NB3,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- MCZ34670EGR2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 以太网供电(PoE)控制器
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- 74HCT123PW,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 多谐振荡器
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- 74ALVCH16601DGG,11 - 未分类 > 未分类
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PSMN6R0-25YLB - N沟道25 V 6.1 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,使用NextPower技术
PSMN6R0-25YLB是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PSMN6R0-25YLB是N沟道25 V 6.1 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,使用NextPower技术,本站介绍了PSMN6R0-25YLB的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PSMN6R0-25YLB相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN6R0-25YLB - N沟道25 V 6.1 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,使用NextPower技术 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
逻辑电平增强型N沟道MOSFET,采用LFPAK封装。该产品设计适用于各种工业、通信及家用设备。
产品特性和优势
- 高可靠性Power SO8封装,额定温度为175°C
- 低寄生电感和电阻
- 采用NextPower超结技术,最适合4.5V栅极驱动
- 超低QG、QGD和QOSS,高/低负载时可实现系统高效率
产品应用
- DC-DC转换器
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