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- LD6806TD/16H,125 - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 稳压器 - 线性
- KMC7448THX1400ND - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微处理器
- MPC8315EVRAGDA - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微处理器
- PC9RS08LE4CWL - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- 74LVT373PW,118 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 锁存器
- MPC8358ECVRADDDA - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微处理器
- MK40DN512ZVLQ10 - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- SPC561MVR56D - 嵌入式 - 微控制器
- 74AHCT3G04GD,125 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 门和反相器
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- SC16C2550IB48,128 - 集成电路（IC） > 接口 > UART（通用异步接收器发送器）
- KMPC8545EVUATG - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微处理器
- LS1026ASE8T1A - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微处理器
PSMN4R8-100BSE - N沟道100 V 4.8 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装
PSMN4R8-100BSE是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品，PSMN4R8-100BSE是N沟道100 V 4.8 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装，本站介绍了PSMN4R8-100BSE的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与PSMN4R8-100BSE相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN4R8-100BSE - N沟道100 V 4.8 mΩ标准电平MOSFET，采用D2PAK封装 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
标准电平N沟道MOSFET，采用D2PAK封装，额定工作温度为175 °C。作为恩智浦“NextPower Live”产品组合的一部分，PSMN4R8-100BSE进一步拓展了最新的“热插拔”控制器耐用程度足以承受开启期间的大量浪涌电流，同时提供低RDS(on)特性，可在持续使用期间保持低温高效。 非常适合基于48 V背板/供电轨的通信系统。
产品特性和优势
- 增强型正向偏压安全工作区，可实现卓越的线性模式运行
- 极低RDS(on)，可实现低导通损耗
产品应用
- 电子保险丝
- 热插拔
- 负载开关
- 软启动
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