
PSMN4R8-100BSE技术文档下载:
PSMN4R8-100BSE产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- FRDM-MCXW71 - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 嵌入式 MCU、DSP 评估板
- LS1021ASN7HNB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- 74HC595PW/AUJ - 集成电路(IC) > 逻辑 > 移位寄存器
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- MK10FX512VLQ12 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MRF7S16150HSR3 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
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- LS1043AXN7QQB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
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- LS1043AXN8KQB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- FS32K148URT0VLUT - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC9S08PT16VTG - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MPC9772FAR2 - 集成电路(IC) > 时钟/定时 > 时钟发生器,PLL,频率合成器
- MWCT2016SHVPAR - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
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- MIMX8MN5DVTJZAA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- S9S12G64AWLFR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC9S08QA4CDNE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



PSMN4R8-100BSE - N沟道100 V 4.8 mΩ标准电平MOSFET,采用D2PAK封装
PSMN4R8-100BSE是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PSMN4R8-100BSE是N沟道100 V 4.8 mΩ标准电平MOSFET,采用D2PAK封装,本站介绍了PSMN4R8-100BSE的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PSMN4R8-100BSE相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN4R8-100BSE - N沟道100 V 4.8 mΩ标准电平MOSFET,采用D2PAK封装 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
标准电平N沟道MOSFET,采用D2PAK封装,额定工作温度为175 °C。作为恩智浦“NextPower Live”产品组合的一部分,PSMN4R8-100BSE进一步拓展了最新的“热插拔”控制器耐用程度足以承受开启期间的大量浪涌电流,同时提供低RDS(on)特性,可在持续使用期间保持低温高效。 非常适合基于48 V背板/供电轨的通信系统。
产品特性和优势
- 增强型正向偏压安全工作区,可实现卓越的线性模式运行
- 极低RDS(on),可实现低导通损耗
产品应用
- 电子保险丝
- 热插拔
- 负载开关
- 软启动
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