逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，采用LFPAK33封装。NextPowerS3产品组合利用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技术，提供高频率低峰值性能，通常只有集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET才具有这种性能，并且没有令人烦恼的高漏电流问题。NextPowerS3特别适合于高开关频率下的高效应用。

• 超低QG、QGD和QOSS，可实现系统高效率，尤其是在开关频率较高时
• 带软恢复功能的超快速开关性能；s-factor > 1
• 针对低EMI设计的低峰值和振铃
• 特有的“SchottkyPlus”技术；类肖特基性能：漏电流<1?μA（25?°C时）
• 最适合4.5 V栅极驱动
• 低寄生电感和电阻
• 高可靠性夹片粘合和芯片焊接Mini Power SO8封装；无胶合、无焊线，额定工作温度为175?°C
• 外露引脚，可实现最佳焊点目测

• 适合服务器和电信的板载DC-DC解决方案
• 电信应用中的次级侧同步整流
• 电压调节器模块(VRM)
• 负载点(POL)模块
• 针对V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的功率输出
• 有刷与无刷马达控制

• PZU4.3B2 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PBSS4032SN - 30 V，5.7 A NPN/NPN低V_CEsat (BISS)晶体管
• 74LVT573PW - 3.3 V八进制D型透明锁存器；3态
• BZB784-C13 - 双倍稳压器二极管
• PZU4.3DB2 - 双倍齐纳二极管
• BLF8G20LS-140(G)V - Power LDMOS transistor
• BLF2425M7L250P - 功率LDMOS晶体管
• SAF3560EL - 地面数字无线电处理器
• BAS56 - 两个高速二极管
• PCA8536 - 包含6通道PWM发生器的低复用率汽车级LCD驱动器