逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，采用LFPAK33封装。NextPowerS3产品组合利用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技术，提供高频率低峰值性能，通常只有集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET才具有这种性能，并且没有令人烦恼的高漏电流问题。NextPowerS3特别适合于高开关频率下的高效应用。

• 超低QG、QGD和QOSS，可实现系统高效率，尤其是在开关频率较高时
• 带软恢复功能的超快速开关性能；s-factor > 1
• 针对低EMI设计的低峰值和振铃
• 特有的“SchottkyPlus”技术；类肖特基性能：漏电流<1?μA（25?°C时）
• 最适合4.5 V栅极驱动
• 低寄生电感和电阻
• 高可靠性夹片粘合和芯片焊接Mini Power SO8封装；无胶合、无焊线，额定工作温度为175?°C
• 外露引脚，可实现最佳焊点目测

• 适合服务器和电信的板载DC-DC解决方案
• 电信应用中的次级侧同步整流
• 电压调节器模块(VRM)
• 负载点(POL)模块
• 针对V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的功率输出
• 有刷与无刷马达控制

• 74LV165D - 8位串行输入/并行输出移位寄存器
• HEF4052B - 双路4通道模拟多路复用器/解复用器
• BC817DS - NPN通用双晶体管
• IP3088CX5 - 集成式2、4、6和8通道无源LC滤波器网络，ESD保护符合IEC61000-4-2第四级标准
• BUK7Y4R4-40E - N沟道40 V，4.4 mΩ标准电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• 74AHCT138PW - 3至8线路解码器/解复用器；反相
• P5CD016U0 - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• PUMD24 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 100 kOhm，R2 = 100 kOhm
• 74HC112PW - 带设置和复位功能的双频JK触发器；负沿触发器
• PTVS8V5P1UP - 600 W瞬态电压抑制器