
PSMN3R9-25MLC技术文档下载:
PSMN3R9-25MLC产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MPC859TCVR100A - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- BZX79-C12,113 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- OM13081UL - 评估板 - 嵌入式 - MCU,DSP
- PN7642EV/C101K - 射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC
- MC56F83783MLH - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MIMX8MN3CUCIZAA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- S32G399AADK1VUCT - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- TEA19162HT/1J - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > PFC(功率因数校正)
- BUK654R8-40C,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET



PSMN3R9-25MLC - N沟道25 V 4.15 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,使用NextPower技术
PSMN3R9-25MLC是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PSMN3R9-25MLC是N沟道25 V 4.15 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,使用NextPower技术,本站介绍了PSMN3R9-25MLC的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PSMN3R9-25MLC相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN3R9-25MLC - N沟道25 V 4.15 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,使用NextPower技术 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
逻辑电平增强型N沟道MOSFET,采用LFPAK33封装。该产品设计适用于各种工业、通信及家用设备。
产品特性和优势
- 低寄生电感和电阻
- 采用NextPower超结技术,最适合4.5V栅极驱动
- 超低QG、QGD和QOSS,高/低负载时可实现系统高效率
产品应用
- DC-DC转换器
- 负载开关
- 同步降压调节器
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