
PSMN2R5-30YL技术文档下载:
PSMN2R5-30YL产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- S9S08RN8W2MLC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- S32K328GHT1MJBSR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- BAS40XY,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
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- MPCZ565MVR56 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- FS32K118LFT0VLHT - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MCF54416CMJ250 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- UJA1076TW/5V0,112 - 集成电路(IC) > 接口 > 专用
- S9S12G64J1MLC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- 74LVT245BQ,115 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- MPC860PCZQ50D4 - 嵌入式 - 微处理器
- PQMH9Z - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,预偏置
- S912ZVC96AMLFR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- LPC1857FET256,551 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



PSMN2R5-30YL - N沟道30 V 2.4 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装
PSMN2R5-30YL是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PSMN2R5-30YL是N沟道30 V 2.4 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,本站介绍了PSMN2R5-30YL的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PSMN2R5-30YL相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN2R5-30YL - N沟道30 V 2.4 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用塑料封装,使用TrenchMOS技术。该产品仅设计适合用于工业和通信应用。
产品特性和优势
- 低开关和导通损耗,因而效率高
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
产品应用
- D级放大器
- DC-DC转换器
- 马达控制
- 服务器电源
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