
PSMN2R0-30YLE技术文档下载:
PSMN2R0-30YLE产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
- MCF51AC256BVLKE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- P3041NSN7MMC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MC68HC908JB16JDW - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PSMN1R6-30PL,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- HEF4077BT,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- LPC1115JBD48/303QL - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PHX45NQ11T,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 74HCT2G34GV,125 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- SC16IS750IBS,128 - 集成电路(IC) > 接口 > 控制器
- MIMX9594CVZXNAC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- SSTUP32866EC/G,518 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 专用逻辑器件
- SPC5644CF0VLU8R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- CBT3384D,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 信号开关,多路复用器,解码器
- LPC1313FHN33,551 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74HC7403D,518 - 集成电路(IC) > 逻辑 > FIFO 存储器
- PUMX1,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
- PESD5V0L5UV/DG125 - 电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
- ENGRCHGSFTWR - 开发板,套件,编程器 > 软件,服务
- TLVH431DQDBVR,115 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电压基准
- PBSS4021SPN,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列



PSMN2R0-30YLE - N沟道30 V 2 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装
PSMN2R0-30YLE是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PSMN2R0-30YLE是N沟道30 V 2 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装,本站介绍了PSMN2R0-30YLE的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PSMN2R0-30YLE相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN2R0-30YLE - N沟道30 V 2 m?逻辑电平MOSFET,采用LFPAK封装 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
逻辑电平N沟道MOSFET,采用LFPAK封装,额定工作温度为175 °C。该产品设计适用于各种工业、通信及家用设备。
产品特性和优势
- 增强型正向偏压安全工作区,可实现卓越的线性模式运行
- 极低Rdson,可实现低导通损耗
产品应用
- 电子保险丝
- 热插拔
- 负载开关
- 软启动
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