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PMZB200UNE产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MC56F81000-EVK - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 嵌入式 MCU、DSP 评估板
- PK51N512CLQ100 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- MPC8541EVTAJD - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
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- DSP56004FJ66 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > DSP(数字信号处理器)
- TJF1051T/1J - 集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器
- MRF6S21060NR1 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- SPC5602DF1MLH4 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- LD6816CX4/12P,315 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - 线性
- MCZ33903CP5EK - 集成电路(IC) > 接口 > 专用
- SPC5604BACLQ6R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC9S08RE16FJE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- ASL3417SHNY - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > LED 驱动器



PMZB200UNE - 30 V, N-channel Trench MOSFET
PMZB200UNE是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PMZB200UNE是30 V, N-channel Trench MOSFET,本站介绍了PMZB200UNE的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PMZB200UNE相关的NXP元器件型号供参考。
PMZB200UNE - 30 V, N-channel Trench MOSFET - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
产品特性和优势
- Very fast switching
- Low threshold voltage
- Trench MOSFET technology
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection: 2 kV HBM
- Ultra thin package profile of 0.37 mm
产品应用
- Relay driver
- High-speed line driver
- Low-side loadswitch
- Switching circuits
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