P沟道增强模式场效应晶体管(FET)，采用无铅超小型DFN1010D-3 (SOT1215)表面贴装器件(SMD)塑料封装，使用Trench MOSFET技术。

• Trench MOSFET技术
• 无铅超小超薄型SMD塑料封装：1.1 × 1.0 × 0.37 mm
• 外露式漏极垫片，导热性能出色
• 静电放电(ESD)保护1.5 kV HBM
• 漏极-源极导通电阻RDSon = 69 m?
• 适合便携式应用的极低栅极-源极阈值电压VGS(th) = -0.68 V

• 便携设备的高端负载开关和充电开关
• 电池驱动型便携设备的电源管理
• LED驱动器
• DC-DC转换器

• BC846BPN - 65 V，100 mA NPN/PNP通用晶体管
• PBSM5240PF - 40 V，2 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管，具有N沟道Trench MOSFET
• NX7002AKS - 60 V，双N沟道Trench MOSFET
• BLL6H1214P2S-250 - LDMOS L-band radar power module
• SC16IS750IBS - 带有I2C总线/SPI接口、64字节发送和接收FIFO以及IrDA SIR内置式支持的单通道UART
• XC7SH02GV - 2输入或非门
• PCA9672BS - 带有中断和复位的Fm I²C总线远程8位I/O扩展器
• PDTA113ZU - PNP配电阻晶体管；R1 = 1 kOhm，R2 = 10 kOhm
• PDTC124XM - NPN配电阻晶体管；R1 = 22 kOhm，R2 = 47 kOhm
• NX3008NBK - 30 V，400 mA N沟道Trench MOSFET