
PMXB75UPE技术文档下载:
PMXB75UPE产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MIMX9352XVVXMAB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 片上系统(SoC)
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- S9S12G128ACLHR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC9S12DJ128BCFU - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- S9S08DN60F2VLH - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- TJA1055T/3,518 - 集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器
- BUK9512-55B,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
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- MC68HC711E9MFNE2 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- PHC21025,118 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
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- MCIMX6Y1CVK05AA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MPC5553MVR132 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74AHC86D,118 - 未分类 > 未分类
- BUK9E3R2-40B,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET



PMXB75UPE - 20 V,P沟道Trench MOSFET
PMXB75UPE是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PMXB75UPE是20 V,P沟道Trench MOSFET,本站介绍了PMXB75UPE的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PMXB75UPE相关的NXP元器件型号供参考。
PMXB75UPE - 20 V,P沟道Trench MOSFET - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
P沟道增强模式场效应晶体管(FET),采用无铅超小型DFN1010D-3 (SOT1215)表面贴装器件(SMD)塑料封装,使用Trench MOSFET技术。
产品特性和优势
- Trench MOSFET技术
- 无铅超小超薄型SMD塑料封装:1.1 × 1.0 × 0.37 mm
- 外露式漏极垫片,导热性能出色
- 静电放电(ESD)保护1.5 kV HBM
- 漏极-源极导通电阻RDSon = 69 m?
- 适合便携式应用的极低栅极-源极阈值电压VGS(th) = -0.68 V
产品应用
- 便携设备的高端负载开关和充电开关
- 电池驱动型便携设备的电源管理
- LED驱动器
- DC-DC转换器
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