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PMXB350UPE产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- BZV90-C9V1,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
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PMXB350UPE - 20 V,P沟道Trench MOSFET
PMXB350UPE是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PMXB350UPE是20 V,P沟道Trench MOSFET,本站介绍了PMXB350UPE的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PMXB350UPE相关的NXP元器件型号供参考。
PMXB350UPE - 20 V,P沟道Trench MOSFET - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用使用Trench MOSFET技术的无引脚超小型DFN1010D-3 (SOT1215)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
产品特性和优势
- Trench MOSFET技术
- 无引脚超小型超薄SMD塑料封装:1.1 × 1.0 × 0.37 mm
- 外露式漏极垫片,可实现出色的导热性
- 静电放电(ESD)保护 1 kV HBM
- 漏极-源极导通电阻RDSon = 100 m?
产品应用
- 适用于便携式设备的高端负载开关和充电开关
- 电池驱动便携式设备的电源管理
- LED驱动器
- DC-DC转换器
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