
PMDT670UPE技术文档下载:
PMDT670UPE产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- 74VHCT245PW,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
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PMDT670UPE - 20 V,550 mA双P沟道Trench MOSFET
PMDT670UPE是NXP恩智浦公司的一款汽车MOSFET产品,PMDT670UPE是20 V,550 mA双P沟道Trench MOSFET,本站介绍了PMDT670UPE的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PMDT670UPE相关的NXP元器件型号供参考。
PMDT670UPE - 20 V,550 mA双P沟道Trench MOSFET - 汽车MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
双P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用具有MOSFET技术的超小型扁平引脚SOT666表面贴装器件(SMD)塑料封装。
产品特性和优势
- 极快速开关
- Trench MOSFET技术
- 高达2 kV的ESD保护
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 高端负载开关
- 开关电路
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