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PMDT290UNE产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- KMC68MH360ZQ25VL - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
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- 74ALVCH16374DL,112 - 未分类 > 未分类
- LPC43S67JBD208E - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MCIMX502EVM8B - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- S9S08LG32J0CLKR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- MPXAZ6115APT1 - 压力传感器、变送器
- 74HC244BQ,115 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- MC20XS4200BFKR2 - 电源管理IC - 配电开关,负载驱动器
- LPC1342FBD48,151 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- S912XDG128F2VAL - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- N74F243N,602 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- SC16C752BIBS,151 - 集成电路(IC) > 接口 > UART(通用异步接收器发送器)
- 74LVT273DB,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器



PMDT290UNE - 20 V,800 mA双N沟道Trench MOSFET
PMDT290UNE是NXP恩智浦公司的一款汽车MOSFET产品,PMDT290UNE是20 V,800 mA双N沟道Trench MOSFET,本站介绍了PMDT290UNE的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PMDT290UNE相关的NXP元器件型号供参考。
PMDT290UNE - 20 V,800 mA双N沟道Trench MOSFET - 汽车MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
双N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用具有MOSFET技术的超小型扁平引脚SOT666表面贴装器件(SMD)塑料封装。
产品特性和优势
- 极快速开关
- Trench MOSFET技术
- 高达2 kV的ESD保护
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路
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