
PHPT61010NY技术文档下载:
PHPT61010NY产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- SPC5604BF2VLQ6 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- BZV55-C9V1,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- MC68332GCEH16 - 嵌入式 - 微控制器
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- MF3MOD2101DA8/05,1 - 射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC
- BZB84-C5V6,215 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 齐纳二极管阵列
- N74F534D,602 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器
- S32K338GHT1VJBSR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MRF7P20040HR3 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- MC9S12XET256CAG - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- S912ZVL12AMLFR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- N74F253N,602 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 信号开关,多路复用器,解码器
- 74HC02PW,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- MK52DN512ZCLQ10 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



PHPT61010NY - 100 V、10A NPN高功率双极性晶体管
PHPT61010NY是NXP恩智浦公司的一款低压低VCEsat (BISS)晶体管产品,PHPT61010NY是100 V、10A NPN高功率双极性晶体管,本站介绍了PHPT61010NY的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PHPT61010NY相关的NXP元器件型号供参考。
PHPT61010NY - 100 V、10A NPN高功率双极性晶体管 - 低压低VCEsat (BISS)晶体管 - 低VCEsat(BISS)晶体管 - 恩智浦
产品描述
NPN高功率双极性晶体管,采用SOT669 (LFPAK56)表面贴装器件(SMD)电源塑料封装。
PNP补充:PHPT61010PY
产品特性和优势
- 高热功耗能力
- 高达175 °C的高温应用
- 与DPAK中的晶体管相比,减少了印刷电路板(PCB)的需求
- 发热量更低、能效更高
- 符合AEC-Q101标准。
产品应用
- 电源管理
- 负载开关
- 线性模式稳压器
- 背光照明应用
- 电机驱动
- 继电器更换
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