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PESD5V2S2UT产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- SC16IS740IPW,128 - 集成电路(IC) > 接口 > 控制器
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- BB131,135 - 分立半导体产品 > 二极管 > 可变电容(变容器,可变电抗器)
- MKW40Z160VHT4 - 射频和无线 > 射频收发器 IC
- FRDM-K64F-AGM01 - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 传感器评估板
- A3T18H455W23SR6 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- S32G234MSBK0VUCR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- BZX84-C6V2,235 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- MC812A4CPVE8 - 嵌入式 - 微控制器
- 74LVC125APW/AUJ - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- 74ABT821PW,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器



PESD5V2S2UT - 采用SOT23封装的双ESD保护二极管
PESD5V2S2UT是NXP恩智浦公司的一款通用ESD保护产品,PESD5V2S2UT是采用SOT23封装的双ESD保护二极管,本站介绍了PESD5V2S2UT的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PESD5V2S2UT相关的NXP元器件型号供参考。
PESD5V2S2UT - 采用SOT23封装的双ESD保护二极管 - 通用ESD保护 - 通用ESD保护设备 - 恩智浦
产品描述
单向双ESD保护二极管采用SOT23塑料封装。设计用于保护最多两条传输线或数据线免受静电放电(ESD)导致的损坏。
产品特性和优势
- 最多两条线路的单向ESD保护
- 最大峰值脉冲功率:Ppp = 330 W (tp = 8/20 us)
- 低钳位电压:V(CL)R = 20 V (Ipp =18 A)
- 超低反向漏电流:IRM< 700 nA
- 超过23 kV的ESD保护
- IEC 61000-4-2四级(ESD)
- IEC 61000-4-5(浪涌);Ipp = 18 A (tp = 8/20 us)
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- 计算机和外设
- 通信系统
- 音频和视频设备
- 高速数据线
- 并行端口。
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