低电容单向四倍静电放电(ESD)保护二极管阵列采用小型表面贴装设备(SMD)塑料封装，保护最多四条信号线免受ESD和其他瞬态电压导致的损坏。

• 最多4条线路的ESD保护
• 低二极管电容
• 最大峰值脉冲功率：PPP = 30 W
• 低钳位电压：VCL = 12 V
• 超低漏电流：IRM = 5 nA
• 高达20 kV的ESD保护
• IEC 61000-4-2四级(ESD)
• IEC 61000-4-5（浪涌）；IPP = 2.5 A
• 符合AEC-Q101标准

• 计算机和外设
• 通信系统
• 音频和视频设备
• 便携式电子设备
• 手机和附件
• 用户身份识别模块(SIM)卡保护

• PZU9.1BA - 单倍齐纳二极管
• PZU4.7B3 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• BLM2425M7S60P - LDMOS 2-stage power MMIC
• MMBZ6V2AL - 低电容单向双ESD保护二极管
• SA614AHR - 低功耗FM IF系统
• BLA8G1011LS-300G - Power LDMOS transistor
• PDTA144WM - PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 22 kOhm
• 74AHCT2G126DC - 双路缓冲器/线路驱动器；3态
• 74LVC1G123GN - 单可再触发单稳态多谐振荡器；施密特触发器输入
• MF1S7030XDA4 - MIFARE Classic 4K - 适用于快速简单的解决方案开发的主流非接触式智能卡IC