毫微微法拉级(femtofarad)电容单向静电放电(ESD)保护二极管阵列可保护最多五路信号线，使其免受ESD和其他瞬态电压导致的损坏。该器件采用超小型扁平引脚SOT666表面贴装设备(SMD)塑料封装。

该器件结合极低电容、高ESD最大额定值和超小型封装等特性，适用于高速数据线的保护以及天线保护应用。

• 最多5条线路的ESD保护
• 低二极管电容：Cd = 0.55 pF
• 超低漏电流：IRM< 1 nA
• 高达8 kV的ESD保护
• IEC 61000-4-2四级(ESD)
• IEC 61000-4-5（浪涌）；IPPM = 2 A
• 符合AEC-Q101标准

• 计算机和外设
• 音频和视频设备
• 手机和附件
• 10/100/1000 Mbit/s以太网
• 通信系统
• 便携式电子设备
• SIM卡保护
• 高速数据线

• 74VHC245D - 八进制总线收发器；3态
• BUK7K17-60E - 双N沟道60 V，14 m?标准电平MOSFET
• NZH3V9B - 单倍齐纳二极管
• PBSS301ND - 20 V，4 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• 74LVT2241PW - 3.3V八位元缓冲器/线路驱动器，具有30 Ohm串联端接电阻；3态
• BCX18 - PNP通用晶体管
• 74HC85DB - 4位量值比较器
• NZX16B - 单倍齐纳二极管
• PH2925U - N沟道TrenchMOS超低电平FET
• 74LVTN16244BBX - 3.3 V 16位缓冲器/驱动器；3态