单向双ESD保护二极管采用SOT23塑料封装。设计用于保护最多两条传输线或数据线免受静电放电(ESD)导致的损坏。

• 最多两条线路的单向ESD保护
• 最大峰值脉冲功率：Ppp = 330 W (tp = 8/20 us)
• 低钳位电压：V(CL)R = 20 V (Ipp =18 A)
• 超低反向漏电流：IRM< 700 nA
• 超过23 kV的ESD保护
• IEC 61000-4-2四级(ESD)
• IEC 61000-4-5（浪涌）；Ipp = 18 A (tp = 8/20 us)
• 符合AEC-Q101标准

• 计算机和外设
• 通信系统
• 音频和视频设备
• 高速数据线
• 并行端口。

• PSMN025-100D - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• 74AUP2G02GN - 低功耗双路2输入或非门
• 74AUP1G08GN - 低功耗2输入与门
• PMV30XPEA - 20 V, P-channel Trench MOSFET
• PEMH2; PUMH2 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 47 kΩ，R2 = 47 kΩ
• 74LV595 - 8位串行输入/串行输出或并行输出移位寄存器；3态
• BAS20 - 通用二极管
• PTVS58VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
• BSS84AKS - 50 V，160 mA双P沟道Trench MOSFET
• PSMN3R9-25MLC - N沟道25 V 4.15 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术