
PDTB123ET技术文档下载:
PDTB123ET产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MMZ25332BT1 - 射频和无线 > 射频放大器
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- BA277,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 射频
- MC68908GZ16CFJE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC56F81866AMLFA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > DSP(数字信号处理器)
- S912XET256BMAGR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



PDTB123ET - PNP 500 mA、50 V配电阻晶体管;R1 = 2.2 kOhm,R2 = 2.2 kOhm
PDTB123ET是NXP恩智浦公司的一款RET 500mA/50V产品,PDTB123ET是PNP 500 mA、50 V配电阻晶体管;R1 = 2.2 kOhm,R2 = 2.2 kOhm,本站介绍了PDTB123ET的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PDTB123ET相关的NXP元器件型号供参考。
PDTB123ET - PNP 500 mA、50 V配电阻晶体管;R1 = 2.2 kOhm,R2 = 2.2 kOhm - RET 500mA/50V - 配备电阻的晶体管(RET) - 恩智浦
产品描述
500 mA PNP配电阻晶体管(RET),采用小型SOT23 (TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
NPN补充产品:PDTD123ET。
产品特性和优势
- 500 mA的输出电流能力
- 贴片成本更低
- 内置偏置电阻
- ±10 %电阻比容差
- 电路设计更为简化
- 符合AEC-Q101标准
- 元器件数量更少
产品应用
- 汽车电子和工业领域中的数字应用
- 在数字应用中可替代BC807系列的成本节约型产品
- 控制IC输入
- 开关负载
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