PCF8594C-2是一款浮动门控电可擦可编程只读存储器(EEPROM)，具备4 kbits（512 x 8位）非易失性存储器。通过使用内部冗余存储代码，对单个位元错误有容错功能。相比传统的EEPROM，此功能显著提升了可靠性。由于使用全CMOS技术，所以功耗很低。使用电压倍增器片上生成编程电压。

通过串行I2C总线接收和发送数据字节。可将最多四个PCF8594C-2器件连接至I2C总线。通过两个地址输入（A1和A2）完成芯片选择。

内部执行E/W周期的定时，所以无需外部组件。引脚7编程时间控制(PTC)必须连接至VDD或保持开路。也可以使用外部时钟对E/W周期的长度进行定时。

• 低功率CMOS：
  • 2.0 mA最大工作电流
  • 最大待机电流为10 uA（6.0 V时），典型为4 uA
• 组织为512 x 8位的4 kbits非易失性存储器
• 单电源，满负载工作低至2.5 V
• 片上电压倍增器
• 串行输入/输出I2C总线
• 写入操作：
  • 字节写入模式
  • 8字节页面写入模式（每个字节的总写入时间最小化）
• 读取操作：
  • 连续读取
  • 随机读取
• 用于写入的内部定时器（无外部组件）
• 内部上电复位
• 0 kHz至100 kHz时钟频率
• 通过使用冗余存储代码实现高可靠性
• 承受：Tamb = 22Cel时为1,000,000个擦除/写入(E/W)周期
• 10年非易失性数据保留时间
• ESD保护：按JESD22-A114超过2000 V HBM，按JESD22-A115超过150 V MM，按JESD22-C101超过1000 V CDM
• 已按照JEDEC标准JESD78完成闭锁测试，超过100 mA
• 提供DIP8和SO8封装。

• PDZ30B - 稳压器二极管
• 74HCT259D - 8位可寻址锁存器
• NZH20C - 单倍齐纳二极管
• TFF11070HN - 适合VSAT应用的低相位噪声本振发生器
• SA614AHR - 低功耗FM IF系统
• 74AUP1G38GS - 低功耗2输入与非门（开漏）
• 74LVC2G38DC - 双路2输入与非门；开漏
• BAS56 - 两个高速二极管
• PHPT610035PK - PNP/PNP matched high power double bipolar transistor
• PCU9669B - 并行总线至1通道Fm+和2通道UFm I2C总线控制器