PNP低VCEsat突破性小信号(BISS)晶体管，采用中等功率和扁平引脚SOT89 (SC-62)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

NPN补充产品：PBSS4032NX。

• 极低集电极-发射极饱和电压VCEsat
• 优化的开关时间
• 高集电极电流能力IC和ICM
• 高集电极电流增益(hFE)（高IC时）
• 发热量更低、能效高
• 符合AEC-Q101标准
• 所需的印刷电路板(PCB)面积相比传统晶体管的更小

• 电池驱动设备
• 电源管理
• 充电电路
• 电源开关（例如：马达、风扇）

• BZX79-C33 - 稳压器二极管
• PMV50XP - 20 V, P-channel Trench MOSFET
• 74HC377DB - 带数据使能的八频D型触发器；正沿触发器
• PEMB24 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 100 kOhm，R2 = 100 kOhm
• PHPT60415PY - 40 V, 15 A PNP high power bipolar transistor
• NTSX2102 - 双电源转换收发器；开漏；自动方向感应
• 74LVCH2T45DC - 双电源转换收发器；3态
• PSMN2R8-80BS - N沟道80 V，3 m?标准电平FET，采用D2PAK封装
• BUK9K45-100E - 双N沟道100 V，45 mΩ逻辑电平MOSFET
• PHP30NQ15T - N沟道TrenchMOS标准电平FET