
PBSS305PD技术文档下载:
PBSS305PD产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MRF6S20010GNR1 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- KMPC8358EVVAGDGA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- 74HC244PW,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- MK50DX256CLL7 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PX1011A-EL1/G,557 - 集成电路(IC) > 接口 > 专用
- MPC8536ECVJAKGA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- P89LPC915FDH,129 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MIMX8DL1CVNFZBA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- PZU3.9B2A,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- MCIMX534AVV8C - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- TDA9885TS/V3,118 - 集成电路(IC) > 线性 > 视频处理



PBSS305PD - 100 V、2 A PNP低V_CEsat (BISS)晶体管
PBSS305PD是NXP恩智浦公司的一款低压低VCEsat (BISS)晶体管产品,PBSS305PD是100 V、2 A PNP低V_CEsat (BISS)晶体管,本站介绍了PBSS305PD的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PBSS305PD相关的NXP元器件型号供参考。
PBSS305PD - 100 V、2 A PNP低V_CEsat (BISS)晶体管 - 低压低VCEsat (BISS)晶体管 - 低VCEsat(BISS)晶体管 - 恩智浦
产品描述
PNP低VCEsat突破性小信号(BISS)晶体管,采用SOT457 (SC-74)小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。
NPN补充:PBSS305ND。
产品特性和优势
- 低集电极-发射极饱和电压VCEsat
- 高集电极电流能力:IC和ICM
- 高集电极电流增益:hFE(高IC时)
- 发热量更低、能效更高
- 与传统晶体管相比,所需的印刷电路板(PCB)面积更少
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- 高压DC-DC转换
- 高压MOSFET栅极驱动
- 高压电机控制
- 高压电源开关(如电机、风扇)
- 薄膜晶体管(TFT)背光逆变器
- 汽车应用
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