
PBSS305PD技术文档下载:
PBSS305PD产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- S9S12G128F0MLLR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC68360ZP25L - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MRF6V13250HSR5 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- ASL5108SHV/0Y - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > LED 驱动器
- PTN3460BS/F4Y - 集成电路(IC) > 接口 > 专用
- MF1P2131DA6/02J - 射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC
- 74LVC1G02GF,132 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- 74HC14N-Q100U - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- MPXV5525DP - 传感器,变送器 > 压力传感器、变送器



PBSS305PD - 100 V、2 A PNP低V_CEsat (BISS)晶体管
PBSS305PD是NXP恩智浦公司的一款低压低VCEsat (BISS)晶体管产品,PBSS305PD是100 V、2 A PNP低V_CEsat (BISS)晶体管,本站介绍了PBSS305PD的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PBSS305PD相关的NXP元器件型号供参考。
PBSS305PD - 100 V、2 A PNP低V_CEsat (BISS)晶体管 - 低压低VCEsat (BISS)晶体管 - 低VCEsat(BISS)晶体管 - 恩智浦
产品描述
PNP低VCEsat突破性小信号(BISS)晶体管,采用SOT457 (SC-74)小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。
NPN补充:PBSS305ND。
产品特性和优势
- 低集电极-发射极饱和电压VCEsat
- 高集电极电流能力:IC和ICM
- 高集电极电流增益:hFE(高IC时)
- 发热量更低、能效更高
- 与传统晶体管相比,所需的印刷电路板(PCB)面积更少
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- 高压DC-DC转换
- 高压MOSFET栅极驱动
- 高压电机控制
- 高压电源开关(如电机、风扇)
- 薄膜晶体管(TFT)背光逆变器
- 汽车应用
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