
PBSS302NZ技术文档下载:
PBSS302NZ产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- LPC2364HBD100,551 - 嵌入式 - 微控制器
- 74HCT2G125DP,125 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- PHU108NQ03LT,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- LS1020AXN7KQB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- SPC5674FAMVY3 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- NVT4858-4557-EVB - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 评估和演示板及套件
- SPC5603BK0MLL6 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- N74F1804D,602 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
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PBSS302NZ - 20 V、5.8 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
PBSS302NZ是NXP恩智浦公司的一款低压低VCEsat (BISS)晶体管产品,PBSS302NZ是20 V、5.8 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管,本站介绍了PBSS302NZ的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PBSS302NZ相关的NXP元器件型号供参考。
PBSS302NZ - 20 V、5.8 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管 - 低压低VCEsat (BISS)晶体管 - 低VCEsat(BISS)晶体管 - 恩智浦
产品描述
NPN低VCEsat突破性小信号(BISS)晶体管,采用SOT223 (SC-73)小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。
PNP补充:PBSS302PZ。
产品特性和优势
- 低集电极-发射极饱和电压VCEsat
- 高集电极电流能力:IC和ICM
- 高集电极电流增益:hFE(高IC时)
- 发热量更低、能效更高
- 与传统晶体管相比,所需的印刷电路板(PCB)面积更少
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- DC-DC转换
- MOSFET栅极驱动
- 电机控制
- 充电电路
- 电源开关(如电机、风扇)
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