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PBSS302NZ产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- ADC1012D080HN/C1,5 - 集成电路(IC) > 数据采集 > 模数转换器(ADC)
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- 74HCT1G32GV,125 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- BZX284-B39,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- MC56F8335VFGER - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- MMA6823AKGCWR2 - 运动传感器 - 加速计
- 74LV165PW,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 移位寄存器
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- MC9S12DJ256MFUE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- SPC5644AF0MLU1R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



PBSS302NZ - 20 V、5.8 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
PBSS302NZ是NXP恩智浦公司的一款低压低VCEsat (BISS)晶体管产品,PBSS302NZ是20 V、5.8 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管,本站介绍了PBSS302NZ的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PBSS302NZ相关的NXP元器件型号供参考。
PBSS302NZ - 20 V、5.8 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管 - 低压低VCEsat (BISS)晶体管 - 低VCEsat(BISS)晶体管 - 恩智浦
产品描述
NPN低VCEsat突破性小信号(BISS)晶体管,采用SOT223 (SC-73)小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。
PNP补充:PBSS302PZ。
产品特性和优势
- 低集电极-发射极饱和电压VCEsat
- 高集电极电流能力:IC和ICM
- 高集电极电流增益:hFE(高IC时)
- 发热量更低、能效更高
- 与传统晶体管相比,所需的印刷电路板(PCB)面积更少
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- DC-DC转换
- MOSFET栅极驱动
- 电机控制
- 充电电路
- 电源开关(如电机、风扇)
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