
PBRN123YT技术文档下载:
PBRN123YT产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- UDA1334BTS/N2,112 - 集成电路(IC) > 数据采集 > ADC/DAC - 特殊用途
- BZT52H-B3V3,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- PTVS3V3S1UR,115 - 未分类 > 未分类
- PMBFJ111,215 - 分立半导体产品 > 晶体管 > JFET
- MC68360ZP25L - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- FS32K116LIT0VLFR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- BZV85-C13,113 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
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- SPC5646CCAVMJ1R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- SC16C654DIB64,151 - 集成电路(IC) > 接口 > UART(通用异步接收器发送器)
- SPC5604PGF0MLQ6 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- P1013PSN2LFA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MPSA06,412 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
- DEMO9S12XHY256 - 评估板 - 嵌入式 - MCU,DSP
- P1020NSE2FFB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- BYM358X,127 - 分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列



PBRN123YT - NPN 800 mA,40 V BISS RETs;R1 = 2.2 kOhm,R2 = 10 kOhm
PBRN123YT是NXP恩智浦公司的一款RET 600mA/40V 低VCEsat产品,PBRN123YT是NPN 800 mA,40 V BISS RETs;R1 = 2.2 kOhm,R2 = 10 kOhm,本站介绍了PBRN123YT的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PBRN123YT相关的NXP元器件型号供参考。
PBRN123YT - NPN 800 mA,40 V BISS RETs;R1 = 2.2 kOhm,R2 = 10 kOhm - RET 600mA/40V 低VCEsat - 配备电阻的晶体管(RET) - 恩智浦
产品描述
800 mA NPN低VCEsat突破性小信号(BISS)配电阻晶体管(RET)系列,采用小型塑料封装。
产品特性和优势
- 800 mA的输出电流能力
- 低集电极-发射极饱和电压VCEsat
- 高电流增益hFE
- 元器件数量更少
- 内置偏置电阻
- 贴片成本更低
- 电路设计更为简化
- +-10%电阻比容差
产品应用
- 汽车电子和工业领域中的数字应用
- 开关负载
- 中等电流外设驱动器
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