NX3P1107是高端负载开关，具有带受控压摆率的低导通电阻P沟道MOSFET，支持1.5 A的连续电流。其专门针对0.8 V到5.5 V工作设计，用于电源域隔离应用，以降低功耗，延长电池寿命。使能逻辑器件包括集成逻辑电平转换，使该设备兼容低电压处理器和控制器。由于低接地电流，NX5P2924是便携式电池供电应用的理想选择。

• 宽电源电压范围：0.8 V至5.5 V
• 极低的导通电阻：
  • 电源电压1.2 V时为14 m?（典型值）
  • 电源电压1.8 V时为14 m?（典型值）
• 高抗噪性
• 1.2 V控制逻辑；集成式EN下拉电阻
• 高电流处理能力（2.5 A的连续电流）
• 导通压摆率限制
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过4000 V
  • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C

• 手机
• 数码相机和音频设备
• 便携式和电池供电设备

• BC868-25 - 20 V，2 A NPN中等功率晶体管
• SL3S1214FTB0 - UCODE 7m
• 74HCT1G02GW - 2输入或非门
• PESD5V0U4BW - 超低电容双向四倍ESD保护阵列
• XC7SET125GV - 总线缓冲器/线路驱动器；3态
• 1N4738A - 稳压器二极管
• PDTB113ZU - 500 mA、50 V PNP配电阻晶体管
• BZX84-C3V9 - 稳压器二极管
• PSMN1R0-30YLD - N沟道30 V，1.0 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPowerS3技术
• 74CBTLV16211DGG - 24位总线开关