NX3P1108是高端负载开关，具有低导通电阻P沟道MOSFET，支持1.5 A以上的连续电流。其具有集成式输出放电电阻，在禁用时可使输出电容放电。专为0.9 V至3.6 V工作电压范围而设计的该器件在电源域隔离应用中得到使用以降低功耗并延长电池寿命。使能逻辑包括集成式逻辑电平转换，因此该器件与电压较低的处理器和控制器兼容。NX3P1108因低接地电流和超低断态电流而非常适合便携式电池供电应用。

• 0.9 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 极低导通电阻：
  • 3.3 V电源电压时为34 mΩ
• 高抗噪性
• 低断态漏电流（最大2.0 uA）
• 3.6 V电源电压时的1.2 V控制逻辑
• 高电流处理能力（1.5 A连续电流）
• 内部输出放电电阻
• 开启压摆率限制
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过4000 V
  • CDM AEC-Q100-011 B版超过500 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C

• 手机
• 数码相机和音频设备
• 便携式和电池供电设备

• PMEG10010ELR - 100 V, 1 A low leakage current Schottky barrier rectifier
• BZV90-C62 - 稳压器二极管
• NX3008PBKMB - 30 V，单P沟道Trench MOSFET
• BZX84-A3V9 - 稳压器二极管
• PZU7.5BA - 单倍齐纳二极管
• PESD5V0L1BA - 采用SOD323封装的低电容双向ESD保护二极管
• BLF6G10L(S)-260PRN - 功率LDMOS晶体管
• PESD3V3S1UB - 采用SOD523封装的ESD保护二极管
• PDTC124E series - NPN配电阻晶体管；R1 = 22 kΩ，R2 = 22 kΩ
• BLF8G24LS-100(G)V - 功率LDMOS晶体管