NX3L1G384是低电阻单刀单掷模拟开关。其具有两个输入/输出端子（Y和Z）和有源低电平使能输入引脚(E)。E为高电平时，模拟开关关闭。

施密特触发器在使能输入(E)处工作，这使得电路容许较慢的输入上升和下降时间。NX3L1G384允许具有高达VCC振幅的信号从Y传输到Z；或从Z传输到Y。其低导通电阻(0.5 Ω)和平坦度(0.13 Ω)确保传输的信号具有最小衰减和失真。

• 宽电源电压范围从1.4 V至4.3 V
• 极低的导通电阻（峰值）：
  • VCC = 1.4 V时为1.6 Ω（典型值）
  • VCC = 1.65 V时为1.0 Ω（典型值）
  • VCC = 2.3 V时为0.55 Ω（典型值）
  • VCC = 2.7 V时为0.50Ω（典型值）
  • VCC = 4.3 V时为0.50 Ω（典型值）
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过7500 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
  • 开关端口的IEC61000-4-2接触放电超过4000 V
• 低功耗CMOS
• 闭锁性能超过JESD 78 II类A级规定的100 mA
• 3.0 V TTL电平的直接接口
• 控制输入接受高于电源电压的电压
• 高电流处理能力（3.3 V供电时有350 mA的连续电流）
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 手机
• PDA
• 便携式媒体播放器

• 74HCT2G66GT - 双路单刀单掷模拟开关
• 74LVTH125DB - 3.3 V四路缓冲器；3态
• PCA9554; PCA9554A - 带有中断的8位I2C总线和SMBus I/O端口
• NX3008CBKV - 30 / 30 V，400 / 220 mA N/P沟道Trench MOSFET
• BF1118 - 硅RF开关
• PZU6.2BL - 单倍齐纳二极管
• PCF8594C-2 - 带有I2C总线接口的512 x 8位CMOS EEPROM
• 74LVC1G80GF - 单D型触发器；正沿触发器
• BF992 - N沟道双栅极MOSFET
• BUK7611-55A - N沟道TrenchMOS标准电平FET