NX3DV2567是四刀双掷模拟开关(4PDT)，专门针对WLAN-SIM供电、数据和控制信号切进行优化。其具有一个数字选择输入和四个开关，每个具有两个独立的输入/输出（nY0和nY1）和一个公用输入/输出(nZ)。施密特触发器在S处工作，这使得电路在从1.4 V至4.3 V的整个VCC范围容许较慢输入上升和下降时间。

低输入电压阈值允许引脚S由低电平逻辑信号驱动，而没有显著增加电源电流ICC。这使NX3DV2567能够通过1.8 V数字控制器切换4.3V信号，无需逻辑电平转换。

NX3DV2567允许振幅高达VCC的信号从nZ传输到nY0 或nY1；或从nY0或nY1传输到nZ。

• 宽电源电压范围从1.4 V至4.3 V
• 极低的导通电阻供给路径：
  • VCC = 1.8 V时为0.5Ω（典型值）
  • VCC = 2.7 V时为0.45Ω（典型值）
• 数据路径的低导通电阻：
  • VCC = 1.8 V时为7Ω（典型值）
  • VCC = 2.7 V时为6Ω（典型值）
• 数据路径的低导通电容
• 宽-3 db带宽> 160 MHz
• 先断后通切换
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过4000 V
  • HBM JESD22-A114F 3A类I/O至GND超过7000 V
  • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
• 低功耗CMOS
• 闭锁性能超过JESD 78B II类A级规定的100 mA
• 1.8 V控制逻辑，VCC = 3.6 V
• 控制输入接受高于电源电压的电压
• 极低的电源电流，即便输入低于VCC
• 高电流处理能力（电源路径开关在3.3 V供电时有350 mA的连续电流）
• 额定温度范围为-40 ℃至+85 ℃和-40 ℃至+125 ℃

• 手机、PDA、数码相机、打印机和笔记本
• 液晶显示器、电视和机顶盒

• BUK7E3R5-60E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 2PC4617QMB - 50 V，100 mA NPN通用晶体管
• 74ABT16245BDL - 16位总线收发器（3态）
• PCA9538 - 带有中断和复位的8位I2C总线和SMBus低功率I/O端口
• 74AHC(T)164 - 8位串行输入/并行输出移位寄存器
• 74AHC86D - 四路2输入异或门
• BZT52H-C6V2 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• XC7SET86 - 2输入异或门
• PMV27UPEA - 20 V, P-channel Trench MOSFET
• P5CC080XS - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器