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NX3DV2567GU产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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NX3DV2567GU - 低电阻四刀双掷模拟开关
NX3DV2567GU是NXP恩智浦公司的一款模拟开关产品,NX3DV2567GU是低电阻四刀双掷模拟开关,本站介绍了NX3DV2567GU的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与NX3DV2567GU相关的NXP元器件型号供参考。
NX3DV2567GU - 低电阻四刀双掷模拟开关 - 模拟开关 - 逻辑 - 恩智浦
产品描述
NX3DV2567是四刀双掷模拟开关(4PDT),专门针对WLAN-SIM供电、数据和控制信号切进行优化。其具有一个数字选择输入和四个开关,每个具有两个独立的输入/输出(nY0和nY1)和一个公用输入/输出(nZ)。施密特触发器在S处工作,这使得电路在从1.4 V至4.3 V的整个VCC范围容许较慢输入上升和下降时间。
低输入电压阈值允许引脚S由低电平逻辑信号驱动,而没有显著增加电源电流ICC。这使NX3DV2567能够通过1.8 V数字控制器切换4.3V信号,无需逻辑电平转换。
NX3DV2567允许振幅高达VCC的信号从nZ传输到nY0 或nY1;或从nY0或nY1传输到nZ。
产品特性和优势
- 宽电源电压范围从1.4 V至4.3 V
- 极低的导通电阻供给路径:
- VCC = 1.8 V时为0.5Ω(典型值)
- VCC = 2.7 V时为0.45Ω(典型值)
- 数据路径的低导通电阻:
- VCC = 1.8 V时为7Ω(典型值)
- VCC = 2.7 V时为6Ω(典型值)
- 数据路径的低导通电容
- 宽-3 db带宽> 160 MHz
- 先断后通切换
- 高抗噪性
- ESD保护:
- HBM JESD22-A114F 3A类超过4000 V
- HBM JESD22-A114F 3A类I/O至GND超过7000 V
- CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
- 低功耗CMOS
- 闭锁性能超过JESD 78B II类A级规定的100 mA
- 1.8 V控制逻辑,VCC = 3.6 V
- 控制输入接受高于电源电压的电压
- 极低的电源电流,即便输入低于VCC
- 高电流处理能力(电源路径开关在3.3 V供电时有350 mA的连续电流)
- 额定温度范围为-40 ℃至+85 ℃和-40 ℃至+125 ℃
产品应用
- 手机、PDA、数码相机、打印机和笔记本
- 液晶显示器、电视和机顶盒
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