NX3DV221是高带宽开关，设计用于切换手机和消费电子应用（比如手机、数码相机以及带集线器的笔记本或带有限USB I/O的控制器）中的高速USB?2.0信号。该开关的宽带宽(1?GHz)使传输的信号具有最小边沿和相位失真。该器件可将差分输出从USB主机设备多路复用到两个对应输出之一。该开关为双向开关，在输出处的高速信号衰减很少或根本没有。其设计用于低位间偏斜和高通道间噪声隔离，且兼容高速USB?2.0 (480?Mbps)等各种标准。

• 2.3 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 开关电压接受高达5.5 V的信号
• VCC = 3.6 V时的1.8 V控制逻辑
• OE为高电平时的低功耗模式（2 μA最大）
• 6 Ω（最大）导通电阻
• 通道之间的0.1 Ω（典型值）导通电阻不匹配
• 6 pF（典型值）通态电容
• 高带宽（1.0 GHz典型值）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78B II类A级标准
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过8000 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
  • HBM超过12000 V，实现I/O接地保护
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C

• 适合USB 1.0、1.1和2.0路由信号

• PDTC115T series - NPN配电阻晶体管；R1 = 100 kOhm，R2 = 开路
• 74AUP2G86GF - 低功耗双路2输入异或门
• BZX84-A7V5 - 稳压器二极管
• 74LVC2T45GS - 双电源转换收发器；3态
• BLS8G2731L-400P - LDMOS S-band radar power transistor
• BUK961R6-40E - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• P5CC073XS - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• BLP8G27-5 - Power LDMOS transistor
• PHPT60415NY - 40 V, 15 A NPN high power bipolar transistor
• 74LVC240A - 八位元缓冲器/线路驱动器，带5 V容压输入/输出；反相；3态