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MMBZ12VDL产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
- BZX384-C5V1,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- PCA9561D,118 - 集成电路(IC) > 接口 > 专用
- MCZ33903D5EK - 集成电路(IC) > 接口 > 专用
- HEF40374BT,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器
- BAV21,143 - 分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- PEMI2STD/RR,115 - 滤波器 > EMI/RFI 滤波器(LC,RC 网络)
- PTN38007EWY - 集成电路(IC) > 接口 > 信号缓冲器、中继器、分离器
- MC68340FE25E - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- SPC5607BK0VLQ6 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- LPC54S018JET180K - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- LPC4330FET180,551 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- NX1117C18Z,115 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - 线性
- PCF8582C-2P/03,112 - 集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- SA630D/01,118 - 射频和无线 > 射频开关
- LPC1111FHN33/103 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC33887PNB - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电机驱动器,控制器
- S912XEP768J5CAGR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PTN38003AEWY - 集成电路(IC) > 接口 > 信号缓冲器、中继器、分离器
- MC35FS6515CAER2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- TDA8551T/N1,118 - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 音频放大器



MMBZ12VDL - 用于瞬态过压抑制的双ESD保护二极管
MMBZ12VDL是NXP恩智浦公司的一款24W/40W TVS二极管产品,MMBZ12VDL是用于瞬态过压抑制的双ESD保护二极管,本站介绍了MMBZ12VDL的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与MMBZ12VDL相关的NXP元器件型号供参考。
MMBZ12VDL - 用于瞬态过压抑制的双ESD保护二极管 - 24W/40W TVS二极管 - 瞬变电压抑制器(TVS)二极管 - 恩智浦
产品描述
单向双静电放电(ESD)保护二极管采用共阴极配置,配以SOT23 (TO-236AB)小型表面贴装设备(SMD)塑料封装。该器件可为最多两条信号线提供ESD和瞬态过压保护。
产品特性和优势
- 两条线路的单向ESD保护
- 高达30 kV(接触放电)的ESD保护
- 单条线路的双向ESD保护
- IEC 61000-4-2四级(ESD)
- 低二极管电容:Cd ≤ 140 pF
- IEC 61643-321
- 额定峰值脉冲功率:PPPM ≤ 40 W
- 符合AEC-Q101标准
- 超低漏电流:IRM ≤ 5 nA
产品应用
- 计算机和外设
- 汽车电子控制单元
- 音频和视频设备
- 便携式电子设备
- 手机和附件
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