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MMBZ12VDL产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- 88MW300-B0-NAPE/AZ - 射频和无线 > 射频收发器 IC
- MK81FN256VDC15 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- PMBT5550,215 - 未分类 > 未分类
- S912XEP100W1MALR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC32PF4210A0ES - 电源管理IC - 电源管理 - 专用型
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MMBZ12VDL - 用于瞬态过压抑制的双ESD保护二极管
MMBZ12VDL是NXP恩智浦公司的一款24W/40W TVS二极管产品,MMBZ12VDL是用于瞬态过压抑制的双ESD保护二极管,本站介绍了MMBZ12VDL的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与MMBZ12VDL相关的NXP元器件型号供参考。
MMBZ12VDL - 用于瞬态过压抑制的双ESD保护二极管 - 24W/40W TVS二极管 - 瞬变电压抑制器(TVS)二极管 - 恩智浦
产品描述
单向双静电放电(ESD)保护二极管采用共阴极配置,配以SOT23 (TO-236AB)小型表面贴装设备(SMD)塑料封装。该器件可为最多两条信号线提供ESD和瞬态过压保护。
产品特性和优势
- 两条线路的单向ESD保护
- 高达30 kV(接触放电)的ESD保护
- 单条线路的双向ESD保护
- IEC 61000-4-2四级(ESD)
- 低二极管电容:Cd ≤ 140 pF
- IEC 61643-321
- 额定峰值脉冲功率:PPPM ≤ 40 W
- 符合AEC-Q101标准
- 超低漏电流:IRM ≤ 5 nA
产品应用
- 计算机和外设
- 汽车电子控制单元
- 音频和视频设备
- 便携式电子设备
- 手机和附件
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