该器件设计用于保护高速接口（如高清多媒体接口(HDMI)、DisplayPort、USB、外部串行高级技术附件(eSATA)和低压差分信号(LVDS)接口），使其免受静电放电(ESD)干扰。

该器件集成高级ESD保护二极管结构，采用4通道、0.4 mm间距、单晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)，可用于高速信号线。这些特性使得该器件非常适合要求具有最小元件尺寸的应用，如手机和其他便携式电子设备。

特殊的二极管配置提供全部信号线保护，具有超低线路电容（典型值仅0.8 pF）。这些二极管为接触放电电压高达±8 kV的下游器件提供ESD保护，符合IEC 61000-4-2第四级标准。

• 符合危险物质使用限制(RoHS)标准的无铅封装，无卤/无锑（符合“深绿”标准）
• 用于USB 2.0、USB On-The-Go (USB OTG)、以太网和数字视频接口(DVI)的系统ESD保护
• 所有信号线均集成轨到轨钳位二极管，提供±8 kV的下游器件ESD保护，符合IEC 61000-4-2第四级标准
• 2 x 2焊球WLCSP，间距0.4 mm，高度小于500 μm
• 信号线的信号对间匹配电容不超过0.05 pF
• 各通道的线路电容仅为0.8 pF

• 便携式设备
• 手机
• 无线数据系统
• 数码相机

• 74LVCH245ABX - 八进制总线收发器；3态
• 74AUP1G06GN - 低功耗反相器，带开漏输出
• TDA8034HN - 低功耗智能卡接口
• BUK7631-100E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BFU530W - NPN宽带硅RF晶体管
• 74AUP1G57GX - Low-power configurable multiple function gate
• MF1PLUS6031DUD - 适用于快速简单的解决方案开发的主流非接触式智能卡IC
• BZX84J-C10 - 单倍齐纳二极管
• PMBFJ175 - P沟道FET
• BUK9608-55B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET