HEF4538B是双可再触发可复位单稳态多谐振荡器。每个多谐振荡器都具有一个低电平有效触发/再触发输入(nA)、一个高电平有效触发/再触发输入(nB)、一个覆盖低电平有效直接复位输入(nCD)、一个输出(nQ)及其补充输出(nQ)和两个连接外部定时元件CEXT和REXT的针脚（nREXT/CEXT和nCEXT，始终接地）。额定温度范围内的典型脉冲宽度变化为±0.2 %。

多谐振荡器可通过输入脉冲的正沿或负沿触发，并且会产生脉冲宽度范围从10 μs到无限大的精确输出脉冲。输出脉冲的持续时间和精度由外部定时元件CEXT和REXT确定。输出脉冲宽度(tW)等于REXT × CEXT。LOCMOS（局部氧化物CMOS）中的线性设计技术可保证输出脉冲宽度的精确控制。nCD处的低电平可立即终止输出脉冲。触发输入的施密特触发器动作使电路高度容许较慢的上升和下降时间。

其工作电压为建议的3 V至15 V的VDD电源电压，以VSS（通常为地）为参考。未使用的输入必须连接到VDD、VSS或另一个输入。

• 容许缓慢的触发上升和下降时间
• 全静态操作
• 5 V、10 V和15 V参数额定值
• 标准化对称输出特性
• 在-40 °C至+125 °C的整个汽车温度范围内工作
• 符合JEDEC标准JESD 13-B

• PIMC31 - 500 mA、50 V NPN/PNP配电阻双晶体管；R1 = 1 kOhm，R2 = 10 kOhm
• PMZ370UNE - 30 V，N沟道Trench MOSFET
• 74AHC541PW - 八位元缓冲器/线路驱动器；3态
• BZX84J-C5V6 - 单倍齐纳二极管
• PSMN1R5-40ES - N沟道40 V 1.6 m?标准电平MOSFET，采用I2PAK封装。
• PEMD2; PIMD2; PUMD2 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1?=?22?kΩ，R2?=?22?kΩ
• 74HCT1G00GW - 2输入与非门
• BF622 - NPN高压晶体管
• BLF10H6600PS - 功率LDMOS晶体管
• SAF3560HV - 地面数字无线电处理器