HEF4015B是双边沿触发4位静态移位寄存器（串行至并行转换器）。每个移位寄存器都具有一个串行数据输入(D)、一个时钟输入(CP)、四个全缓冲并行输出（Q0至Q3）以及一个覆盖异步主复位输入(MR)。在CP从低电平跃迁至高电平时，D上出现的信息会移位到第一个寄存器位置且寄存器中的所有数据都会右移一个位置。无论CP和D如何，MR上的高电平都会清零寄存器并将Q0至Q3强制为低电平。时钟输入的施密特触发器动作使其高度容许较慢的时钟上升和下降时间。

其工作电压为建议的3 V至15 V的VDD电源电压，以VSS（通常为地）为参考。未使用的输入必须连接到VDD、VSS或另一个输入。其还适用于整个工业（-40°C至+85°C）温度范围。

• 容许缓慢的时钟上升和下降时间
• 全静态操作
• 5 V、10 V和15 V参数额定值
• 标准化对称输出特性
• 在-40°C至+85°C的汽车温度范围内工作
• 符合JEDEC标准JESD 13-B

• 串行到并行转换器
• 缓冲器存储
• 通用寄存器

• 74LVC10ABQ - 三路3输入与非门
• BSS84AKW - 50 V，150 mA P沟道Trench MOSFET
• BAS16W - 高速开关二极管
• PZU16BL - 单倍齐纳二极管
• BUK953R2-40B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PSMN085-150K - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• 74HC(T)299 - 8位通用移位寄存器；3态
• BZV55-B15 - 稳压器二极管
• 74LVCH16373ADL - 16位D型透明锁存器，具有5 V容压输入/输出；3态
• 74AUP1G38GM - 低功耗2输入与非门（开漏）